集微網(wǎng)消息，據(jù)SamMobile報(bào)道，在過(guò)去的幾年里，由于芯片制造良率較低和散熱問(wèn)題，三星代工失去了幾家芯片客戶，而客戶選擇轉(zhuǎn)投臺(tái)積電。現(xiàn)在三星正依靠其即將推出的3nm芯片制造工藝來(lái)贏回轉(zhuǎn)投臺(tái)積電的客戶。據(jù)悉，三星3nm芯片良率已經(jīng)超越臺(tái)積電3nm工藝良率。

據(jù)KMIB News報(bào)道，投資公司Hi Investment & Securities發(fā)布報(bào)告稱，三星代工4nm半導(dǎo)體制造工藝的良率已突破75%大關(guān)。與此同時(shí)，臺(tái)積電的這一比例為80%。半導(dǎo)體制造工藝中的良率意味著有多少半導(dǎo)體晶圓是合格可用的，產(chǎn)量越高，使用半導(dǎo)體晶圓可以制造的芯片數(shù)量就越多，從而減少成本和提升效率。雖然臺(tái)積電在4nm工藝方面仍領(lǐng)先于三星代工，但據(jù)報(bào)道，三星代工在3nm芯片良率上已經(jīng)超越臺(tái)積電。

報(bào)道稱，三星代工3nm芯片制造工藝的良率達(dá)到60%。相比之下，臺(tái)積電的3nm芯片良率約為55%。由于臺(tái)積電在3nm領(lǐng)域落后于三星代工，因此三星有可能贏回在4nm和5nm工藝方面輸給臺(tái)積電的客戶。

據(jù)稱，英偉達(dá)和高通對(duì)三星代工的第二代3nm（SF3）工藝感興趣，因?yàn)榕_(tái)積電的大部分芯片產(chǎn)能都已被蘋果預(yù)訂。此外，臺(tái)積電日本和美國(guó)工廠生產(chǎn)的芯片成本預(yù)計(jì)將比中國(guó)臺(tái)灣芯片工廠分別高出15%和30%。因此，更高的成本和更低的產(chǎn)能相結(jié)合可能會(huì)讓英偉達(dá)、高通和其他公司考慮三星代工的3nm芯片制造工藝。AMD還可能向三星代工下訂生產(chǎn)3nm和4nm芯片的訂單。

為了實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈多元化，英偉達(dá)甚至愿意使用英特爾代工廠的2nm工藝來(lái)制造未來(lái)的芯片，該工藝將于2024年底推出。相比之下，三星代工和臺(tái)積電計(jì)劃在2025年使用2nm工藝制造芯片。另外，1.4nm芯片制造工藝將于2027年面世。

（校對(duì)/張杰）
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